Threshold Analysis of Semiconductor Lasers: Novel Parameter Extraction Method - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1996

Threshold Analysis of Semiconductor Lasers: Novel Parameter Extraction Method

Zeno Toffano
Laboratoire des signaux et systèmes
Alain Destrez
  • Fonction : Auteur
Supélec Sciences des Systèmes
S. Bozorgui
  • Fonction : Auteur
Supélec Sciences des Systèmes

Domaines

Optique / photonique

Zeno Toffano  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01702781

Soumis le : mercredi 7 février 2018-11:10:25

Dernière modification le : dimanche 17 mars 2024-11:46:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01702781 , version 1 (07-02-2018)

Identifiants

Citer

Zeno Toffano, Alain Destrez, S. Bozorgui. Threshold Analysis of Semiconductor Lasers: Novel Parameter Extraction Method. Proceedings of European Meeting on Lasers and Electro-Optics, Sep 1996, Hamburg, France. ⟨10.1109/CLEOE.1996.562447⟩. ⟨hal-01702781⟩

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