Contactless investigation of the doping concentration level of single GaAsμ-crystals grown on Silicon for multijunctionsolar cells - CentraleSupélec

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Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Contactless investigation of the doping concentration level of single GaAsμ-crystals grown on Silicon for multijunctionsolar cells

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Alexandre Jaffré

Fonction : Auteur
PersonId : 6253
IdHAL : alexandre-jaffre

Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

J Alvarez

Fonction : Auteur
PersonId : 5252
IdHAL : jose-alvarez
ORCID : 0000-0003-3558-8302
IdRef : 089018222

Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Jean-Paul Kleider

Fonction : Auteur
PersonId : 5984
IdHAL : jean-paul-kleider
ORCID : 0000-0003-4388-6326
IdRef : 03273039X

Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Denis Mencaraglia

Fonction : Auteur
PersonId : 20238
IdHAL : denis-mencaraglia
IdRef : 032968809

Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Optique / photonique

Alexandre Jaffré : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01721130

Soumis le : jeudi 1 mars 2018-17:25:26

Dernière modification le : jeudi 14 mars 2024-19:17:51

Dates et versions

hal-01721130 , version 1 (01-03-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01721130 , version 1

Citer

Alexandre Jaffré, J Alvarez, Jean-Paul Kleider, Denis Mencaraglia. Contactless investigation of the doping concentration level of single GaAsμ-crystals grown on Silicon for multijunctionsolar cells. Multiscale Solar, Feb 2018, Wroclaw, Poland. ⟨hal-01721130⟩

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