Peculiarities of Doped GaP Layers Growth by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2019

Peculiarities of Doped GaP Layers Growth by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-02344022

Soumis le : dimanche 3 novembre 2019-18:57:57

Dernière modification le : jeudi 14 mars 2024-19:17:21

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02344022 , version 1 (03-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02344022 , version 1

Citer

Alexander S. Gudovskikh, Artem Baranov, Ivan Morozov, A. Uvarov, Dmitriy A. Kudryashov, et al.. Peculiarities of Doped GaP Layers Growth by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition. 28th International Conference on Amorphous and nanocrystalline Semiconductors (ICANS 28), Aug 2019, Palaiseau, France. ⟨hal-02344022⟩

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