Determination of Effective Defects States by Varying the Thickness of Passivating (i)a-Si:H Layer in a-Si :H/c-Si Heterojunction Solar Cell Using Coplanar Conductance - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Determination of Effective Defects States by Varying the Thickness of Passivating (i)a-Si:H Layer in a-Si :H/c-Si Heterojunction Solar Cell Using Coplanar Conductance

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-02344024

Soumis le : dimanche 3 novembre 2019-19:01:06

Dernière modification le : jeudi 14 mars 2024-19:17:21

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02344024 , version 1 (03-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02344024 , version 1

Citer

Alexandra Levtchenko, Sylvain Le Gall, Rudolf Brüggemann, Marie-Estelle Gueunier-Farret, Jean-Paul Kleider. Determination of Effective Defects States by Varying the Thickness of Passivating (i)a-Si:H Layer in a-Si :H/c-Si Heterojunction Solar Cell Using Coplanar Conductance. 28th International Conference on Amorphous and nanocrystalline Semiconductors (ICANS 28), Aug 2019, Palaiseau, France. ⟨hal-02344024⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS CENTRALESUPELEC GEEPS PHEMADIC UNIV-PARIS-SACLAY SORBONNE-UNIVERSITE SU-SCIENCES GEEPS-MATERIAU GS-ENGINEERING GS-PHYSIQUE INSTITUT-SCIENCES-LUMIERE
48 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More