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Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Towards a better understanding of resistance drift and threshold switching phenomena in amorphous phase change materials : study of GeTe versus Ge15Te85

Jennifer Luckas
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de génie électrique de Paris
Martin Salinga
  • Fonction : Auteur
Christophe Longeaud
Laboratoire de génie électrique de Paris
Matthias Wuttig
  • Fonction : Auteur

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https://centralesupelec.hal.science/hal-00710760

Soumis le : jeudi 21 juin 2012-15:52:43

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:55

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00710760 , version 1 (21-06-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00710760 , version 1

Citer

Jennifer Luckas, Martin Salinga, Christophe Longeaud, Matthias Wuttig. Towards a better understanding of resistance drift and threshold switching phenomena in amorphous phase change materials : study of GeTe versus Ge15Te85. ICANS24, Aug 2011, Nara, Japan. ⟨hal-00710760⟩

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