Thermal interface conductance in Si/Ge superlattices by equilibrium molecular dynamics

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Physical Review B : Condensed matter and materials physics, American Physical Society, 2012
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Contributeur : Sebastian Volz <>
Soumis le : mercredi 9 mars 2016 - 18:45:17
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:04

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Citation

Yann Chalopin, K. Esfarjani, A. Henry, Sebastian Volz, G. Chen. Thermal interface conductance in Si/Ge superlattices by equilibrium molecular dynamics. Physical Review B : Condensed matter and materials physics, American Physical Society, 2012. 〈hal-01285857〉

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