Study of Electronic Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film from SiH4/H2 using Tailored Voltage Waveforms

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Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : dimanche 11 septembre 2016 - 14:48:02
Dernière modification le : jeudi 10 mai 2018 - 01:58:32

Identifiants

  • HAL Id : hal-01363727, version 1

Citation

Junkang Wang, Federico Ventosinos, Christophe Longeaud, Bastien Bruneau, D. Daineka, et al.. Study of Electronic Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film from SiH4/H2 using Tailored Voltage Waveforms. E-MRS 2016 Spring Meeting, May 2016, Lille, France. 〈hal-01363727〉

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