Study of Electronic Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film from SiH4/H2 using Tailored Voltage Waveforms

Junkang Wang; Federico Ventosinos; Christophe Longeaud; Bastien Bruneau; D. Daineka; Mustapha Elyaakoubi; E. Stephanos; Jean-Paul Kleider; Erik Johnson

Study of Electronic Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film from SiH4/H2 using Tailored Voltage Waveforms

Junkang Wang ¹ Federico Ventosinos ¹ Christophe Longeaud ² Bastien Bruneau ¹ D. Daineka ¹ Mustapha Elyaakoubi ³ E. Stephanos ³ Jean-Paul Kleider ² Erik Johnson ¹

1 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]

2 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris

3 TFSC-Instrument

Type de document :

Communication dans un congrès

E-MRS 2016 Spring Meeting, May 2016, Lille, France

Domaine :

Physique [physics] / Matière Condensée [cond-mat] / Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Sciences de l'ingénieur [physics] / Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Energie électrique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Optique / photonique

Sciences de l'ingénieur [physics] / Matériaux

Liste complète des métadonnées

https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01363727
Contributeur : Jean-Paul Kleider <>
Soumis le : dimanche 11 septembre 2016 - 14:48:02
Dernière modification le : dimanche 4 novembre 2018 - 14:46:07

Study of Electronic Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film from SiH4/H2 using Tailored Voltage Waveforms

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Métriques

162

Contact

Study of Electronic Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film from SiH4/H2 using Tailored Voltage Waveforms

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Partager

Métriques

162

Contact