p-Type a-Si:H Doping Using Plasma Immersion Ion Implantation for Silicon Heterojunction Solar Cell Application

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Contributeur : Christophe Longeaud <>
Soumis le : jeudi 9 novembre 2017 - 15:06:56
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:24

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Tristan Carrere, Delfina Munoz, Coig Marianne, Christophe Longeaud, Jean-Paul Kleider. p-Type a-Si:H Doping Using Plasma Immersion Ion Implantation for Silicon Heterojunction Solar Cell Application. Solar RRL, 2017, 1 (2), 〈http://onlinelibrary.wiley.com/journal/10.1002/(ISSN)2367-198X/issues〉. 〈10.1002/solr.201600007〉. 〈hal-01631626〉

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