Temperature dependence of the radiative recombination coefficient in crystalline silicon by spectral and modulated photoluminescence

Rudolf Brüggemann 1 Ming Xu 1 José Alvarez 1 Mohamed Boutchich 1 Jean-Paul Kleider 1
1 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris
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physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters, Wiley-VCH Verlag, 2017, 11 (6), 〈10.1002/pssr.201700066〉
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Contributeur : Mohamed Boutchich <>
Soumis le : jeudi 9 novembre 2017 - 16:56:41
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:24

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Rudolf Brüggemann, Ming Xu, José Alvarez, Mohamed Boutchich, Jean-Paul Kleider. Temperature dependence of the radiative recombination coefficient in crystalline silicon by spectral and modulated photoluminescence. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters, Wiley-VCH Verlag, 2017, 11 (6), 〈10.1002/pssr.201700066〉. 〈hal-01631792〉

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