Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctions - Archive ouverte HAL Access content directly
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Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctions

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Dates and versions

hal-01942352 , version 1 (03-12-2018)

Identifiers

  • HAL Id : hal-01942352 , version 1

Cite

Alexandre Jaffré, J Alvarez, Hung-Ling Chen, Hajer Makhloufi, Charles Renard, et al.. Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctions. Journées Nationales du Photovoltaïque 2018 (JNPV 2018), Dec 2018, Dourdan, France. ⟨hal-01942352⟩
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