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Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctions

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https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01942352
Contributor : Alexandre Jaffré <>
Submitted on : Monday, December 3, 2018 - 10:38:15 AM
Last modification on : Thursday, September 17, 2020 - 12:26:02 PM

Identifiers

  • HAL Id : hal-01942352, version 1

Citation

Alexandre Jaffré, J Alvarez, Hung-Ling Chen, Hajer Makhloufi, Charles Renard, et al.. Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctions. Journées Nationales du Photovoltaïque 2018 (JNPV 2018), Dec 2018, Dourdan, France. ⟨hal-01942352⟩

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