Skip to Main content Skip to Navigation
Poster communications

Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctions

Alexandre Jaffré 1 J Alvarez 1 Hung-Ling Chen 2 Hajer Makhloufi 1 Charles Renard 3 Florent Loete 1 Stéphane Collin 3 James Patrick Connolly 1 Jean-Paul Kleider 1 Denis Mencaraglia 1 
1 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris
2 C2N - Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Orsay]
3 C2N - Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis]
Document type :
Poster communications
Complete list of metadata
https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01942352
Contributor : Alexandre Jaffré Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Monday, December 3, 2018 - 10:38:15 AM
Last modification on : Saturday, June 25, 2022 - 10:34:36 PM

Identifiers

  • HAL Id : hal-01942352, version 1

Collections

UPMC | CNRS | CENTRALESUPELEC | GEEPS | PHEMADIC | UNIV-PARIS-SACLAY | SORBONNE-UNIVERSITE | SU-SCIENCES | UP-SCIENCES | GS-ENGINEERING | INSTITUT-SCIENCES-LUMIERE

Citation

Alexandre Jaffré, J Alvarez, Hung-Ling Chen, Hajer Makhloufi, Charles Renard, et al.. Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctions. Journées Nationales du Photovoltaïque 2018 (JNPV 2018), Dec 2018, Dourdan, France. ⟨hal-01942352⟩

Export

BibTeX TEI DC DCterms EndNote Datacite

Share

Metrics

Record views

66