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Poster communications
Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctions
Alexandre Jaffré
1
J Alvarez
1
Hung-Ling Chen
2
Hajer Makhloufi
1
Charles Renard
3
Florent Loete
1
Stéphane Collin
3
James Patrick Connolly
1
Jean-Paul Kleider
1
Denis Mencaraglia
1
Alexandre Jaffré 1
Author IdHAL : alexandre-jaffre
J Alvarez 1
Author IdHAL : jose-alvarez ORCID : https://orcid.org/0000-0003-3558-8302
Hung-Ling Chen 2
Author Employer institution : C2N, CNRS - Université Paris-Sud, Université Paris-Saclay
Hajer Makhloufi 1
Author
Charles Renard 3
Author Employer institution : C2N, CNRS - Université Paris-Sud, Université Paris-Saclay IdHAL : charles-renard IdRef : https://www.idref.fr/120552183 ORCID : https://orcid.org/0000-0002-1772-0691
Florent Loete 1
Author IdHAL : florent-loete
Stéphane Collin 3
Author IdHAL : stephane-collin ResearcherId : http://www.researcherid.com/rid/B-4118-2008 ORCID : https://orcid.org/0000-0001-6176-1653
James Patrick Connolly 1
Author IdHAL : james-p-g-connolly ORCID : https://orcid.org/0000-0003-0342-1719
Jean-Paul Kleider 1
Author IdHAL : jean-paul-kleider ORCID : https://orcid.org/0000-0003-4388-6326
Denis Mencaraglia 1
Author IdHAL : denis-mencaraglia
1
GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris (11, rue Joliot Curie
Plateau de Moulon
91192 Gif sur Yvette - France)
- UP11 - Université Paris-Sud - Paris 11 (Bâtiment 300 - 91405 Orsay cedex - France)
- CentraleSupélec (3, rue Joliot Curie, Plateau de Moulon, 91192 GIF-SUR-YVETTE Cedex - France)
- SU - Sorbonne Université (21 rue de l’École de médecine - 75006 Paris - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR8507 (France)
2
C2N - Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Orsay] (Batiment 220 Université Paris Sud - France)
- UP11 - Université Paris-Sud - Paris 11 : UMR 9001 (Bâtiment 300 - 91405 Orsay cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR 9001 (France)
- Université Paris-Saclay (Bâtiment Bréguet, 3 Rue Joliot Curie 2e ét, 91190 Gif-sur-Yvette - France)
3
C2N - Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis] (Site de DATA4 Route de Nozay 91460 Marcoussis - France)
- UP11 - Université Paris-Sud - Paris 11 (Bâtiment 300 - 91405 Orsay cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR9001 (France)
Document type :
Poster communications
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https://hal-centralesupelec.archives-ouvertes.fr/hal-01942352
Contributor : Alexandre Jaffré Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Monday, December 3, 2018 - 10:38:15 AM
Last modification on : Tuesday, January 4, 2022 - 4:54:33 AM
Contributor : Alexandre Jaffré Connect in order to contact the contributor
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Last modification on : Tuesday, January 4, 2022 - 4:54:33 AM
Identifiers
- HAL Id : hal-01942352, version 1
Collections
Citation
Alexandre Jaffré, J Alvarez, Hung-Ling Chen, Hajer Makhloufi, Charles Renard, et al.. Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctions. Journées Nationales du Photovoltaïque 2018 (JNPV 2018), Dec 2018, Dourdan, France. ⟨hal-01942352⟩
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