Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctions

Alexandre Jaffré (1) , J Alvarez (1) , Hung-Ling Chen (2) , Hajer Makhloufi (1) , Charles Renard (3) , Florent Loete (1) , Stéphane Collin (3) , James Patrick Connolly (1) , Jean-Paul Kleider (1) , Denis Mencaraglia (1)

1 GeePs - Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris
2 C2N - Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Orsay]
3 C2N - Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Marcoussis]

Domains: Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]; Optics [physics.optics]

Alexandre Jaffré, J Alvarez, Hung-Ling Chen, Hajer Makhloufi, Charles Renard, et al.. Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctions. Journées Nationales du Photovoltaïque 2018 (JNPV 2018), Dec 2018, Dourdan, France. ⟨hal-01942352⟩