Radiative recombination coefficient in crystalline silicon at low temperatures < 77 K by combined photoluminescence measurements - CentraleSupélec Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2017

Radiative recombination coefficient in crystalline silicon at low temperatures < 77 K by combined photoluminescence measurements

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Energie électrique Optique / photonique Matériaux

Jean-Paul KLEIDER  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://centralesupelec.hal.science/hal-01632914

Soumis le : vendredi 10 novembre 2017-17:21:05

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01632914 , version 1 (10-11-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01632914 , version 1

Citer

R Brüggemann, Ming Xu, J Alvarez, Mohamed Boutchich, Jean-Paul Kleider. Radiative recombination coefficient in crystalline silicon at low temperatures < 77 K by combined photoluminescence measurements. Silicon PV 2017, Apr 2017, Freiburg, Germany. ⟨hal-01632914⟩

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